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   IGBT吸收薄膜電容  

   廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)、變頻器、太陽(yáng)能發(fā)電、感應(yīng)加熱電源等領(lǐng)域。

 IGBT吸收薄膜電容

       應(yīng)用特點(diǎn):                                     

  有雙面金屬化薄膜、無(wú)感結(jié)構(gòu)、低等效串聯(lián)電感,可承受較高的du/dt 能承受高脈沖電,ESR小,具有自愈性。適用所有IGBT模塊區(qū)域尖峰電壓的吸收保護(hù)。

       產(chǎn)品參數(shù):

  額定電壓 700V.DC~3000V.DC

  額定容量 0.0047μF~10μF

  溫度范圍 -40°C~85°C

  容量偏差 ±5%, ±10%

  極間耐電壓 2Ur(DC) 10s 25±5℃

  極殼耐電壓 3000V 50Hz 60S, 25±5℃

  損耗角正切 Cr≤1.0μF tgδ≤5×10-4,Cr>1.0μF tgδ≤6×10-4

  絕緣電阻 C*IR≥30000S, at 100VDC,25±5℃,60S

  預(yù)期壽命 100000h at Ur and 70℃ 

      >>>更多薄膜電容資料請(qǐng)進(jìn)入:產(chǎn)品中心


     超高壓大電流脈沖薄膜電容

      廣泛應(yīng)用于新能源電動(dòng)汽車、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、牽引、太陽(yáng)能風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域。

超高壓大電流脈沖薄膜電容

     

  應(yīng)用特點(diǎn):

  1、可靠性高,能承受大波紋電流。

  2、具有良好的自愈特性和溫度穩(wěn)定性;

  3、最高電壓可達(dá)100KV。


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